智慧树知到《模拟电子技术》章节测试答案
第一章
1、 电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A:对
B:错
答案: 对
2、 电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.
A:对
B:错
答案: 错
3、 第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A:对
B:错
答案: 错
4、 电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A:对
B:错
答案: 对
5、 电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点
A:对
B:错
答案: 对
6、 模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A:对
B:错
答案: 错
7、 计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号
A:对
B:错
答案: 错
8、 数字信号一般指时间和数值上都连续的信号
A:对
B:错
答案: 错
9、 含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统
A:对
B:错
答案: 对
10、 下列信号不属于模拟信号的是( )
A:0~5V的电压信号
B:20Hz~20kHz的音频信号
C:4~20mA的电流信号
D:灯的亮灭状态
答案: 灯的亮灭状态
第二章
1、 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地
A:对
B:错
答案: 错
2、 凡是运算电路都可利用虚短和虚断的概念求解运算关系
A:对
B:错
答案: 对
3、 集成运放在开环情况下一定工作在非线性区
A:对
B:错
答案: 对
4、 理想运算放大器的两个重要结论是
A:虚地与反相
B:虚短与虚地
C:虚短与虚断
D:短路和断路
答案: 虚短与虚断
5、 集成运放的线性和非线性应用电路都存在
A:虚短
B:虚地
C:虚短与虚断
D:虚断
答案: 虚断
6、如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为
A:＋UOM
B:-UOM
C:无穷大
D:0
答案:＋UOM,-UOM
7、 反相输入积分电路中的电容接在电路的
A:反相输入端
B:同相输入端
C:反相端与输出端之间
D:同相端与输出端之间
答案: 反相端与输出端之间
8、电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则VO=
A:-1V
B:1V
C:-2V
D:2V
答案:2V
9、 集成运放能处理
A:交流信号
B:直流信号
C:交流和直流信号
D:正弦信号
答案: 交流和直流信号
10、 理想运算放大器的输出电阻Ro为
A:零
B:有限值
C:无穷大
D:不确定
答案: 零
第三章
1、 设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为
A:15V
B:6.7V
C:9.7V
D:3V
答案:B
2、 用万用表的电阻档测量二极管，当 时说明二极管的单向导电性好
A:正向电阻小反向电阻大
B:正向电阻大反向电阻小
C:正向电阻反向电阻都小
D:正向电阻反向电阻都大
答案:A
3、 如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管
A:击穿
B:电流为0
C:电流过大而使管子烧坏
D:正常导通
答案:C
4、 二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
A:对
B:错
答案:A
5、当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区
A:对
B:错
答案:B
6、 P型半导体带正电，N型半导体带负电
A:对
B:错
答案:B
7、当温度升高时，二极管反向饱和电流将
A:增大
B:减小
C:不变
D:先增大再减小
答案:A
8、 半导体二极管的重要特性之一是
A:温度稳定性
B:单向导电性
C:放大作用
D:滤波作用
答案:B
9、二极管电路如图3.1所示，则二极管导通情况为
A:D1导通，D2截止
B:D2导通，D1截止
C:都导通
D:都截止
答案:B
10、 稳压管的稳压区是其工作在
A:正向导通区
B:反向截止区
C:反向击穿区
D:饱和区
答案:C
第四章
1、 场效应管的漏极电流是由的漂移运动形成的。
A:少子
B:多子
C:两种载流子
答案:A
2、 场效应管是一种控制型的电子器件。
A:电流
B:光
C:电压
答案:C
3、 场效应管是利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小的。
A:电流
B:电场
C:电压
答案:C
4、 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将：
A:增大
B:减小
C:不变
答案:A
5、 当栅源电压VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有：
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
答案:A
6、 广义地说，结型场效应管应该：
A:属于耗尽型管
B:属于增强型管
C:不属于耗尽型管
D:不属于增强型管
答案:A
7、图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：
A:P沟道耗尽型MOS管
B:N沟道耗尽型MOS管
C:P沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案:A
8、某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：
A:P沟道增强型MOS管
B:P沟道结型场效应管
C:N沟道增强型MOS管
D:N沟道耗尽型MOS管
答案:D
9、图示场效应管放大电路的组态是:
A:共漏
B:共源
C:共栅
D:差动放大
答案:B
10、测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:
A:N沟道结型FET管
B:P沟道结型FET管
C:N沟道耗尽型MOS管
D:P沟道耗尽型MOS管
答案:C
11、欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入
A:电压串联负反馈
B:电压并联负反馈
C:电流串联负反馈
D:电流并联负反馈
答案:B
第五章
1、 测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，则三个电极为
A:1为发射极，2为基极，3为集电极
B:1为发射极，2为集电极，3为基极
C:1为集电极，2为基极，3为发射极
答案:B
2、 当输入电压为正弦信号时，若NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压的波形将
A:正半周削波
B:负半周削波
C:不削波
答案:C
3、 为了使放大器具有高输入电阻，低输出电阻，应采用
A:共射电路
B:共集电路
C:共基电路
答案:B
4、两个三极管参数分别为：甲管β＝200，ICBO＝0.1uA；乙管β＝260，ICEO＝1uA，选用哪个管子较好？
A:甲管
B:乙管
答案:B
5、 测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。
A:截止
B:饱和
C:放大
D:已损坏
答案:A
6、 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案:A
7、 温度升高，半导体三极管的共射输出特性曲线下移。
A:对
B:错
答案:B
8、 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管
A:对
B:错
答案:A
9、 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
A:对
B:错
答案:A
10、 静态工作点是过高可能会导致饱和失真
A:对
B:错
答案:A
第六章
1、 放大电路的增益和通过信号的频率无关
A:对
B:错
答案:B
2、放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为上限频率或下限频率时，放大器增益的幅值将：
A:降为1
B:降为中频时的1/2倍
C:降为中频时的0.707倍
D:降为中频时的1.414倍
答案:C
3、 在f<fL的低频区，放大电路的增益会随着信号频率的降低而增大
A:对
B:错
答案:B
4、 放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的级间电容和接线电容的影响
A:对
B:错
答案:A
5、MOS管共源极放大电路在低频信号作用时电压放大倍数数值下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
A:对
B:错
答案:A
6、 放大电路的增益带宽积为常数
A:对
B:错
答案:A
7、 幅度失真和相位失真统称为:
A:频率失真
B:饱和失真
C:截止失真
D:交越失真
答案:A
8、 频率失真是一种非线性失真
A:对
B:错
答案:B
9、 分析放大电路频率响应的三个分区不包含
A:低频区
B:中频区
C:高频区
D:特频区
答案:D
10、 放大电路频率响应是指在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应
A:对
B:错
答案:A
第七章
1、 差分式放大电路的主要特点是( )
A:放大差模信号，抑制共模信号
B:同时放大差模和共模信号
C:放大共模信号，抑制差模信号
D:同时抑制差模和共模信号
答案:A
2、 差分放大电路是为了（ ）而设置的
A:提高放大倍数
B:提高输入电阻
C:抑制温漂
D:提高输出电阻
答案:C
3、双端输入、双端输出差动放大电路，设差模电压增益AVD=-150，共模电压增益AVC=0，Vi1=30mV，Vi2=20mV，则输出电压|Vo|为( )
A:3V
B:1V
C:2.5V
D:1.5V
答案:B
4、 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A:电阻阻值有误差
B:晶体管参数的分散性
C:晶体管参数受温度影响
D:电源电压不稳定
答案:CD
5、 差分放大电路由双端输出变为单端输出，则空载时差模电压增益( )
A:增加一倍
B:为双端输出时的1/2
C:不变
D:不确定
答案:B
6、具有理想电流源(动态电阻ro无穷大）的差分放大电路，采用不同的连接方式，其共模抑制比( )
A:均为无穷大
B:均为无穷小
C:完全相同
D:不完全相同
答案:A
7、 共模抑制比KCMR越小，表明电路( )
A:放大倍数越不稳定
B:输入信号中差模成分越小
C:抑制温漂能力越弱
D:交流放大倍数越小
答案:C
8、 双端输入差分放大电路的共模输入信号等于两输入端信号的平均值。
A:对
B:错
答案:A
9、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
A:对
B:错
答案:A
10、由于集成运放实际上是一个直接耦合放大电路，因此它只能放大直流信号，不能放大交流信号。
A:对
B:错
答案:B
11、功率放大电路与电压放大电路的区别是在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电 压大；（ ）
A:对
B:错
答案:B
12、功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者电流放大倍数大；（ ）
A:对
B:错
答案:B
13、功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者效率高；（ ）
A:对
B:错
答案:A
14、功率放大电路与电流放大电路的区别是在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。（ ）
A:对
B:错
答案:A
第八章
1、 放大电路的开环增益-带宽积与闭环增益-带宽积不相等。
A:对
B:错
答案:B
2、 利用输出短路法，假设输出电压为零，若反馈信号不存在了，说明引入的是电流反馈。
A:对
B:错
答案:B
3、放大电路引入深度负反馈后，放大电路的增益决定于反馈网络的反馈系数，而与基本放大电路几乎无关。
A:对
B:错
答案:A
4、负反馈减小非线性失真所指的是反馈环内的失真。如果输入波形本身就是失真的，这时即使引入负反馈，也是无济于事。
A:对
B:错
答案:A
5、 负反馈放大电路，(1+AF)越大，则闭环增益的相对变化量越小，闭环增益的稳定性越好。
A:对
B:错
答案:A
6、 在反馈放大电路中，通常把(1+AF)称为反馈深度，则深度负反馈的条件是：
A:|1+AF|=1
B:|1+AF|<1
C:|1+AF|>>1
D:|1+AF|>1
答案:C
7、 在某放大电路中引入了电压串联负反馈，则下列说法错误的是：
A:可以稳定输出电压。
B:可使放大电路的输入电阻增大。
C:可使放大电路的输出电阻减小。
D:闭环输入电阻是开环输入电阻的AF倍。
答案:d
8、 在放大电路中引入负反馈会对电路的性能产生一些影响，下列说法正确的是：
A:可以提高增益的稳定性。
B:可以减小反馈环内的非线性失真。
C:可以抑制反馈环外噪声。
D:可以扩展带宽。
答案:ABD
9、 存在于放大电路交流通路中的反馈为交流反馈。交流反馈影响放大电路的交流性能，如：
A:静态工作点。
B:增益。
C:输入电阻。
D:输出电阻。
答案:BCD
10、 放大电路引入负反馈后，下面说法正确的有：
A:降低了闭环增益。
B:增益稳定度提高。
C:负反馈不能使输出量保持不变，只能使输出量趋于不变。
D:不同类型的负反馈能稳定的增益也不同。
答案:ABCD
第九章
1、 若功放的效率降低了，则在电源供给功率一定情况下，放大器的输出功率和耗散功率
A:都增大
B:都减小
C:前者增大，后者减小
D:前者减小，后者增大
答案:D
2、 乙类互补推挽功放常会
A:频率失真
B:饱和失真
C:截止失真
D:交越失真
答案:d
3、 要使互补推挽功放输出功率为50W，则须选两个异型管，每个管的PCM不小于
A:25W
B:50W
C:10W
D:100W
答案:C
4、 随着输出功率PO的提高，互补推挽功放输出级的电源供给功率
A:减小
B:增大
C:不变
D:等于PO
答案:B
5、 理想情况下，单电源互补对称功放的最大输出电压Vom
A:等于VCC/2
B:大于VCC/2
C:等于VCC
D:大于VCC
答案:A
6、 理想情况下，双电源互补对称功放的最大输出电压Vom
A:等于VCC/2
B:大于VCC/2
C:等于VCC
D:大于VCC
答案:C
7、甲乙类双电源功放用±VCC，甲乙类单电源功放用VCC，当RL相同时，甲乙类双电源功功放的最大输出功率Pom是甲乙类单电源的
A:2倍
B:4倍
C:0.5倍
D:相等
答案:b
8、 乙类双电源互补对称功率放大电路，在理想情况下其最大效率为
A:25%
B:50%
C:75%
D:100%
答案:C
9、 在乙类单电源互补对称功率放大电路中，VCC＝24V，RL＝8Ω，理想情况下，Pom＝（ ）W
A:7
B:8
C:9
D:10
答案:C
10、甲乙类单电源互补对称功率放大电路，当功率管的饱和压降VCES增大时，最大输出功率Pom的变化情况为( )
A:增加
B:减小
C:不变
D:先增大后减小
答案:B
第十章
1、 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
A:对
B:错
答案:B
2、 单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
A:对
B:错
答案:B
3、 从结构上看，正弦波振荡电路是一个无输入信号的带选频网络的正反馈放大器
A:对
B:错
答案:A
4、正弦波振荡电路维持振荡条件是 图片.png
A:对
B:错
返回栏目